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ASFET de 80/100 V de Nexperia

Nexperia, empresa líder mundial en semiconductores, acaba de anunciar el lanzamiento de sus primeros MOSFET de 80 V y 100 V específicos para aplicaciones (ASFET) de intercambio en caliente con un área operativa segura (SOA) mejorada en un encapsulado compacto LFPAK88 de 8×8 mm. Estos nuevos ASFET se han diseñado específicamente para satisfacer las necesidades de los equipos informáticos y de telecomunicaciones más avanzados y están totalmente optimizados para las exigentes aplicaciones de intercambio en caliente y arranque suave.

El PSMN2R3-100SSE de Nexperia (ASFET de canal N de 100 V y 2,3 mΩ) es la principal incorporación a la cartera, ya que ofrece un bajo RDS(on) y un gran rendimiento en modo lineal (área de funcionamiento seguro) en un tamaño compacto de 8 x 8 mm, adaptado para satisfacer los requisitos de las exigentes aplicaciones hotswap. Este dispositivo se ha desarrollado aprovechando décadas de experiencia tanto en el desarrollo de silicio avanzado como de encapsulados. En respuesta a la creciente tendencia de emplear raíles de alimentación de 48 V en servidores informáticos y otras aplicaciones industriales en las que las condiciones ambientales permiten MOSFET con una clasificación BVDS inferior, Nexperia también ha introducido PSMN1R9-100SSE (80 V, 1,9 mΩ), un ASFET de 80 V.

Las aplicaciones de intercambio en caliente y arranque suave utilizan cada vez más ASFET con SOA mejorado. Cuando se añaden cargas capacitivas a la placa base activa, su sólido rendimiento en modo lineal es crucial para gestionar la corriente de arranque de forma eficaz y fiable. Para reducir las pérdidas de I2R cuando el ASFET está completamente encendido, también es crucial un RDS(on) bajo.

La tercera generación de tecnología SOA mejorada de Nexperia consigue una mejora del 10% del SOA en comparación con las generaciones anteriores en encapsulados D2PAK (33 A frente a 30 A @ 50 V @ 1 ms) a pesar del menor RDS(on) y el tamaño compacto del encapsulado. Los nuevos ASFET hotswap de Nexperia también incluyen una SOA completamente descrita a 25°C y 125°C. Los ingenieros de diseño no necesitan realizar cálculos de desclasificación térmica porque las curvas de SOA en caliente totalmente probadas se incluyen en las hojas de datos, ampliando considerablemente el rendimiento útil de SOA en caliente.

Anteriormente, los ASFET para aplicaciones informáticas y de intercambio en caliente sólo estaban disponibles en encapsulados D2PAK mucho más grandes (16 x 10 mm). Sin embargo, con un 60% más de eficiencia de espacio que los D2PAK, los encapsulados LFPAK88 son la alternativa perfecta a los D2PAK. El RDS(on) del PSMN2R3-100SSE es de sólo 2,3 mΩ, lo que supone al menos un 40% menos que el de dispositivos comparables actualmente en el mercado. Como resultado, LFPAK88 ofrece dos veces la clasificación de corriente ID (máxima), una resistencia térmica ultrabaja y un aumento de la densidad de potencia 58 veces superior al líder del sector.

Los ASFET de intercambio en caliente de Nexperia están diseñados para aplicaciones exigentes de intercambio en caliente y arranque suave en carriles de alimentación de 48 V en servidores informáticos y otras aplicaciones industriales. Los encapsulados LFPAK88 ofrecen una solución más compacta y eficiente en términos de espacio que los tradicionales encapsulados D2PAK. Además, el SOA completamente descrito a 25°C y 125°C incluido en las hojas de datos facilita a los ingenieros de diseño el uso del dispositivo sin tener que realizar ningún cálculo de desclasificación térmica.

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