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Avances en tecnología V-NAND de Samsung: Producción masiva de la novena generación

Introducción a la novena generación de V-NAND

Samsung Electronics ha anunciado el inicio de la producción en masa de sus chips de memoria flash NAND de 286 capas, una tecnología que representa un incremento del 50% en la densidad de bits en comparación con su tecnología V-NAND de octava generación. Esta nueva serie, denominada V-NAND de novena generación, se caracteriza por tener el tamaño de celda más pequeño de la industria y el molde más delgado, lo que le permite mantenerse competitiva en un mercado ferozmente disputado.

Innovaciones y mejoras en la estructura

El nuevo V-NAND de Samsung incorpora innovaciones significativas que mejoran la calidad y la fiabilidad del producto. Entre estas mejoras se encuentran la eliminación de los agujeros de canal inútiles y la creación de caminos electrónicos mediante el apilamiento de capas de molde, lo que además maximiza la productividad de fabricación permitiendo la perforación simultánea del mayor número de capas celulares en una estructura de doble apilamiento. Además, la novena generación de V-NAND está equipada con la nueva interfaz de flash NAND Toggle 5.1, que mejora las velocidades de entrada y salida de datos en un 33%, alcanzando hasta 3.2 gigabits por segundo (Gbps).

Perspectivas y aplicaciones futuras

Con el lanzamiento de esta tecnología, Samsung no solo busca afianzar su posición en el mercado de unidades de estado sólido (SSD) de alto rendimiento, sino también expandir su soporte para PCIe 5.0 y reducir el consumo de energía en un 10%. SungHoi Hur, Jefe de Producto y Tecnología de Flash de la división de negocios de memoria de Samsung, destacó que el V-NAND de novena generación es el primero de la industria y está diseñado para anticiparse a las aplicaciones futuras y responder a las necesidades cambiantes de soluciones de flash NAND, especialmente con la llegada de la era de la inteligencia artificial.

Samsung comenzará la producción masiva del V-NAND de 1Tb TLC este mes y del modelo de celda de nivel cuádruple (QLC) en la segunda mitad del año.

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