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Infineon Lanza MOSFET CoolSiC G2

Infineon Revoluciona con su Segunda Generación de MOSFET CoolSiC

Infineon Technologies AG, con sede en Múnich, Alemania, acaba de anunciar un gran avance en la tecnología de semiconductores con el lanzamiento de la segunda generación de su tecnología de trinchera MOSFET de carburo de silicio (SiC), conocida como CoolSiC MOSFET de 650V y 1200V. Esta innovación promete elevar los estándares de eficiencia energética en diversas aplicaciones de semiconductores de potencia.

Innovación en Eficiencia Energética

La nueva generación de dispositivos CoolSiC MOSFET de Infineon, con voltajes de 650V y 1200V, presenta mejoras significativas en términos de energías almacenadas y cargas, logrando una optimización de hasta el 20% en comparación con su generación anterior. Esta evolución no solo mantiene, sino que mejora los niveles de calidad y fiabilidad, marcando un hito en la búsqueda de soluciones más eficientes y sostenibles para la gestión de la energía.

La tecnología CoolSiC MOSFET G2 explota las capacidades únicas del carburo de silicio para minimizar la pérdida de energía, lo que resulta en una eficiencia energética superior durante la conversión de potencia. Esto tiene aplicaciones directas y beneficiosas en sectores críticos como la fotovoltaica, el almacenamiento de energía, la carga de vehículos eléctricos (VE) de corriente continua (DC), los accionamientos de motores y los suministros de energía industriales.

Aplicaciones Transformadoras y Sostenibles

Entre las aplicaciones destacadas, las estaciones de carga rápida DC para VE equipadas con la tecnología CoolSiC G2 pueden lograr hasta un 10% menos de pérdida de energía en comparación con generaciones anteriores. Esto permite una mayor capacidad de carga sin comprometer el diseño. Además, los inversores de tracción basados en dispositivos CoolSiC G2 pueden aumentar el alcance de los vehículos eléctricos. En el ámbito de las energías renovables, los inversores solares que utilizan CoolSiC G2 permiten diseños más compactos manteniendo una alta salida de potencia, lo que se traduce en un menor costo por vatio.

El Dr. Peter Wawer, presidente de la división Green Industrial Power en Infineon, subraya la importancia de estas innovaciones: “Los megatendencias demandan formas nuevas y eficientes de generar, transmitir y consumir energía. Con el CoolSiC MOSFET G2, Infineon eleva el rendimiento del carburo de silicio a un nuevo nivel, permitiendo el diseño acelerado de sistemas más optimizados en costos, compactos, fiables y altamente eficientes, que ahorran energía y reducen el CO2 por cada vatio instalado en el campo”.

Además, la tecnología de trinchera MOSFET CoolSiC de Infineon optimiza el diseño para lograr una mayor eficiencia y fiabilidad en comparación con las tecnologías SiC MOSFET disponibles hasta ahora. La integración de la tecnología de empaquetado .XT aumenta aún más el potencial de los diseños basados en CoolSiC G2, mejorando la conductividad térmica, el control del ensamblaje y el rendimiento.

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