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Onsemi introduces new 1200V IGBTs

Onsemi presenta nuevos IGBT de 1200 V para una gestión eficiente de la energía

Onsemi, proveedor líder de soluciones de gestión de energía, ha presentado recientemente su última gama de IGBTs Trench Field Stop VII (FS7) de 1200 V. Estos dispositivos están diseñados para mejorar la eficiencia en aplicaciones de conmutación rápida, especialmente en aplicaciones de infraestructura energética como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), almacenamiento de energía y conversión de potencia de carga de vehículos eléctricos.

Los IGBT FS7 se utilizan para elevar la entrada a alta tensión (etapa Boost), así como el inversor para proporcionar una salida de CA en aplicaciones de infraestructura energética de alta frecuencia de conmutación. Las bajas pérdidas de conmutación de los dispositivos FS7 permiten frecuencias de conmutación más altas, lo que reduce el tamaño de los componentes magnéticos, aumenta la densidad de potencia y reduce el coste del sistema.

Para aplicaciones de infraestructura energética de alta potencia, el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos FS7 permite un fácil funcionamiento en paralelo. “Dado que la eficiencia es extremadamente importante en todas las aplicaciones de infraestructuras energéticas de alta frecuencia de conmutación, nos hemos centrado en reducir las pérdidas de conmutación en la desconexión y en ofrecer el mejor rendimiento de conmutación en esta nueva gama de IGBT”, afirma Asif Jakwani, Vicepresidente de la División de Potencia Avanzada de Onsemi.

Los dispositivos FS7 incluyen opciones de alta velocidad (serie S) y velocidad media (serie R). Todos los dispositivos incluyen un diodo optimizado para baja VF, suavidad de conmutación sintonizada y pueden funcionar con temperaturas de unión (TJ) de hasta 175°C.

Los dispositivos de la serie S, como el FGY75T120SWD, ofrecen el mejor rendimiento de conmutación entre los IGBT de 1200 V disponibles actualmente en el mercado. Probada con corrientes de hasta 7 veces el valor nominal, esta plataforma IGBT de gran robustez también ofrece la mejor inmunidad al latch-up de su clase.

La serie R está optimizada para aplicaciones de conmutación de velocidad media, como el control de motores y los relés de estado sólido, en las que predominan las pérdidas por conducción. FGY100T120RWD muestra un VCESAT tan bajo como 1,45 V a 100 A, una mejora de 0,4 V respecto a los dispositivos de la generación anterior.

Los dispositivos FS7 están disponibles en distintos tipos de encapsulado, como TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L y como troquel desnudo, lo que ofrece a los diseñadores flexibilidad y opciones de diseño.

En general, los nuevos IGBT FS7 de Onsemi ofrecen una mejora significativa de la eficiencia y el rendimiento para aplicaciones de infraestructura energética de alta frecuencia de conmutación. Con la capacidad de reducir las pérdidas de conmutación y aumentar la densidad de potencia, estos dispositivos están preparados para desempeñar un papel fundamental en el desarrollo de un futuro energético más sostenible.

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