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Samsung Revoluciona con DRAM 3D para IA

Samsung Electronics Co., líder mundial en la fabricación de chips de memoria, está apostando por revolucionar el mercado de semiconductores de inteligencia artificial (IA) con el lanzamiento de su innovador DRAM tridimensional (3D) en 2025. Este nuevo chip promete triplicar la capacidad por unidad de área mediante el apilamiento vertical de celdas, en contraposición a la disposición horizontal actual. Este avance se presentó en Memcon 2024, un encuentro de fabricantes de chips a nivel mundial. Con un mercado de DRAM 3D proyectado a alcanzar los $100 mil millones para 2030, Samsung busca no solo liderar en la industria de semiconductores de IA, sino también superar a su rival SK Hynix Inc., que actualmente domina el mercado de DRAM para aplicaciones de IA.

Impulso Innovador en la Industria de IA

Samsung planea lanzar una versión preliminar de su DRAM 3D en 2025, utilizando su tecnología de transistor de canal vertical. Esta tecnología innovadora permite una disposición vertical del canal, un paso para el flujo de electrones en un transistor, que constituye una celda, envuelta por una puerta que actúa como un interruptor. Además, para 2030, la compañía tiene planes de introducir DRAM apilado, que acumula todas las celdas, incluyendo un capacitor.

Avances y Proyecciones del Mercado

La estructura de DRAM 3D, al apilar transistores en múltiples capas, espera reducir las fugas y interferencias actuales al ampliar los espacios entre transistores. Se prevé que esta tecnología no solo aumente las capacidades dentro de una misma área de chip, sino que también eleve la capacidad básica de DRAM 3D a 100 gigabytes (GB), casi el triple de la capacidad máxima actual de 36 GB. El crecimiento acelerado de la IA, que requiere el procesamiento rápido de grandes volúmenes de datos, ha impulsado el desarrollo de chips más pequeños con mayor capacidad de procesamiento de datos.

Liderazgo y Competencia en el Mercado

Samsung espera con esta tecnología tomar la delantera en la industria mundial de semiconductores de IA, superando a SK Hynix, que actualmente lidera el sector de chips de IA con una participación del 90% en el mercado global de DRAM de alto ancho de banda (HBM) para aplicaciones de IA. Aunque competidores como SK Hynix y Micron Technology Inc. también están trabajando en la tecnología de DRAM 3D, Samsung está avanzando rápidamente en su desarrollo, con la expectativa de dominar este sector emergente.

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