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ST to build new 200 mm SiC fab in China

ST construirá una nueva fábrica de SiC de 200 mm en China

STMicroelectronics, una destacada empresa europea de semiconductores, se ha embarcado en una apasionante aventura con la firma de un acuerdo pionero con Sanan Optoelectronics. Esta asociación estratégica tiene por objeto construir una empresa conjunta de fabricación de carburo de silicio (SiC) de 200 mm de última generación en la bulliciosa ciudad de Chongqing (China).

El anuncio se produce poco después de otro importante logro de STMicroelectronics. Hace tan sólo unos días, la empresa cerró un acuerdo con GlobalFoundries para establecer una nueva planta de fabricación de semiconductores de 300 mm especializada en la tecnología de silicio totalmente empobrecido sobre aislante (FD SOI). Esta instalación de vanguardia estará situada en Crolles (Francia), junto a la planta actual de STMicroelectronics, reforzando aún más sus capacidades de fabricación.

Sanan Optoelectronics, conocida por sus avances en semiconductores de SiC, comunicaciones ópticas, radiofrecuencia (RF) y arseniuro de galio (GaN), construirá y operará al mismo tiempo una planta independiente de fabricación de sustratos de SiC de 200 mm para satisfacer las necesidades de la empresa conjunta. Sanan desempeñará un papel crucial en el proyecto gracias a su proceso patentado de fabricación de sustratos de SiC. STMicroelectronics prevé que la producción comience a finales de 2025 y que la construcción total se complete en 2028.

Según los términos del acuerdo, la empresa conjunta producirá exclusivamente dispositivos de SiC para STMicroelectronics, utilizando su propia tecnología de proceso de fabricación de SiC. Además, la empresa servirá como fundición dedicada para satisfacer la creciente demanda de los clientes chinos, ampliando la presencia de STMicroelectronics en la región.

Para llevar a buen puerto este ambicioso proyecto, la inversión total en la fábrica de 200 mm de SiC se estima en unos 3.200 millones de dólares. Esto incluye aproximadamente 2.400 millones de dólares en gastos de capital durante los próximos cinco años. La financiación de la empresa correrá a cargo de STMicroelectronics, Sanan, el gobierno de Chongqing y los préstamos obtenidos para este fin.

La importancia de este proyecto radica en la pujanza del mercado del SiC, que ha cobrado un notable impulso. A medida que las empresas del sector amplían rápidamente sus capacidades de producción, también se aseguran de forma proactiva acuerdos de suministro a largo plazo con los proveedores de la cadena de suministro del automóvil.

Los dispositivos de SiC se han convertido en componentes clave de los vehículos eléctricos y las estaciones de carga de los mismos, debido a su mayor eficiencia, tiempos de carga más rápidos y capacidad para aumentar la vida útil de las baterías en comparación con los semiconductores de silicio tradicionales. Dado que el mercado de la automoción está experimentando una transición monumental hacia la electrificación, los dispositivos de SiC se han vuelto muy solicitados en la cadena de suministro. Para satisfacer el aumento previsto de la demanda, las empresas están incrementando la producción y forjando acuerdos con socios estratégicos.

Numerosas empresas del sector apuestan por esta trayectoria de crecimiento. OnSemi, por ejemplo, acaba de firmar un acuerdo de 10 años con el fabricante de equipos eléctricos para automóviles Vitesco Technologies. OnSemi también se ha comprometido a ampliar su capacidad de producción de SiC mediante una inversión de 2.000 millones de dólares en una de sus fábricas, tras otro acuerdo de suministro con el fabricante de cargadores para vehículos eléctricos Kempower.

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