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STMicroelectronics Inicia Construcción del Campus SiC en Italia

Desarrollo de una Planta de Fabricación de Tecnología Avanzada

STMicroelectronics ha anunciado planes para construir una instalación de fabricación de última generación en Catania, Italia, dedicada a la producción de dispositivos y módulos de potencia utilizando tecnología de carburo de silicio (SiC) de 200mm. La instalación también incluirá áreas para pruebas y empaquetado.

Una vez completada la planta de fabricación de sustratos de SiC en el mismo sitio, se combinará con estas instalaciones para crear el Campus de Carburo de Silicio de ST. Este campus cumplirá con el objetivo de la compañía de tener una instalación de fabricación completamente integrada verticalmente para la producción en masa de SiC en un solo lugar. El establecimiento del nuevo Campus de Carburo de Silicio es un logro significativo destinado a ayudar a los clientes a usar dispositivos SiC en muchos sectores como automotriz, industrial e infraestructura en la nube. Esta iniciativa es especialmente crucial a medida que estas industrias se orientan hacia la electrificación y buscan mejorar la eficiencia.

Integración y Producción en el Campus de Carburo de Silicio

El Campus de Carburo de Silicio funcionará como el centro del ecosistema mundial de SiC de ST, consolidando todas las etapas del proceso de producción. Esto incluye el desarrollo de sustratos de SiC, el crecimiento de capas epitaxiales, la fabricación de obleas de 200mm en el frente de línea, el ensamblaje de módulos en el backend, así como la investigación y desarrollo para procesos, diseño de productos, laboratorios avanzados para dies, sistemas de potencia y módulos, y capacidades de empaquetado completas. Este proyecto será el primero de su tipo en Europa en producir en masa obleas de SiC de 200mm. Todo el proceso de fabricación, incluyendo sustrato, epitaxia y frontend, y backend, utilizará tecnología de 200mm para mejorar los rendimientos y el rendimiento.

La nueva fábrica está programada para comenzar la producción en 2026 y alcanzar su capacidad máxima de producción en 2033, produciendo hasta 15,000 obleas por semana en su punto máximo. La inversión total anticipada es de aproximadamente cinco mil millones de euros, incluyendo un respaldo financiero de alrededor de dos mil millones de euros del gobierno italiano como parte del Acta de Chips de la UE. El Campus de Carburo de Silicio incorpora métodos sostenibles en su diseño, desarrollo y operación para promover el consumo responsable de recursos, particularmente en las áreas de agua y energía.

Posición de Liderazgo y Futuro de la Tecnología SiC

La posición dominante de ST en el campo del carburo de silicio (SiC) es el resultado de 25 años de dedicados esfuerzos de investigación y desarrollo, apoyados por una extensa colección de patentes cruciales. Catania ha servido históricamente como un importante centro de innovación para ST, albergando las mayores instalaciones de investigación y desarrollo de SiC y actividades de fabricación. Esto ha llevado a avances notables en la producción de dispositivos SiC mejorados. Esta inversión mejorará la posición de Catania como un centro global para la tecnología SiC y creará más oportunidades de crecimiento. Catania ya cuenta con un ecosistema de electrónica de potencia bien desarrollado, con una exitosa asociación entre ST, la Universidad de Catania y el CNR. Además, existe una amplia red de proveedores que apoyan este ecosistema.

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